بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی قطعات لایه نازک ساندویچی فتالوسیانین مس

در این پژوهش اندازه گیری هایac بر روی لایه های نازک فتالوسیانین مسcupc با الکترود های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس های 102 تا 105 هرتز و درفاصله دمایی 300 تا420 درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می کند. نتایج نشان می دهند که غالب شدن مدل های جهشی با برد متغیر(vrh) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس های پایین و درجه حرارت های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس های بالا و درجه حرارت های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی cupc با استفاده از اندازه گیری های dc تعیین شده است.